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申请/专利权人:哈尔滨工业大学
摘要:一种基于熵的TLC型NAND闪存双非均匀感知电平放置方法及装置,涉及固态存储领域。为解决现有技术中,尚未公开使用少量感知电平的情况下获得更加精确的LLR信息的技术方案的技术问题,本发明提供的技术方案为:包括:采集闪存中各个交叠区的熵值的步骤1;根据各个交叠区内部的熵值,放置感知电平的步骤2;根据各个交叠区之间的熵值,放置感知电平的步骤3;结合各个交叠区内部和各个交叠区之间的熵值,放置感知电平的步骤4。在步骤4中,对步骤2和步骤3放置的感知电平的数据进行软判决读取,并译码,根据各个交叠区之间的熵值确定顺序,根据各个交叠区内部的熵值确定放置方式。可以应用于使用少量感知电平的情况下获得更加精确的LLR信息的工作中。
主权项:1.基于熵的双非均匀感知电平放置方法,其特征在于,所述方法包括:采集闪存中各个交叠区的熵值的步骤1;根据所述各个交叠区内部的熵值,放置感知电平的步骤2;根据所述各个交叠区之间的熵值,放置感知电平的步骤3;结合各个交叠区内部和各个交叠区之间的熵值,放置感知电平的步骤4。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 哈尔滨工业大学 一种基于熵的TLC型NAND闪存双非均匀感知电平放置方法及装置
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