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申请/专利权人：浙江格源新材料科技有限公司
摘要：本发明涉及一种低温氟化制备硅碳负极用含氟多孔碳的方法，包括以下步骤：炭化、预活化、低温氟化、二次活化。所述低温氟化为：将预活化碳与式Ι结构的全氟聚合物分别置于两个独立的开口器皿中，在惰性氛围下于250～400℃反应。式I结构的全氟聚合物实现了250～400℃的低温下对碳的有效氟化，同时不破坏碳的孔隙结构，制得的含氟多孔碳的比表面积达1600～2100m2g；另外，经过预活化、低温氟化和二次活化，使得氟原子均匀地分布于多孔碳中，制备得到的含氟多孔碳的F含量达2～4％。本发明的制备方法制备得到了具有氟均匀分布和丰富孔隙结构的含氟多孔碳，为进一步气相沉积制备硅碳负极提供了基础。
主权项：1.一种低温氟化制备硅碳负极用含氟多孔碳的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1炭化：将碳源在惰性氛围下炭化，得到炭化料；S2预活化：采用活化剂Ι对炭化料进行预活化，冷却后得到预活化碳；S3低温氟化：将预活化碳与式Ι结构的全氟聚合物分别置于两个器皿中，两器皿顶部相通；然后在惰性氛围下于250～400℃反应，冷却后得到含氟碳；S4二次活化：采用活化剂Ⅱ对含氟碳进行二次活化，得到硅碳负极用含氟多孔碳；所述式I结构的全氟聚合物的数均分子量为15～20万；
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权利要求：
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