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申请/专利权人：法国劲浪公司

摘要：本发明涉及一种旨在控制至少一个扬声器R44的高性能音频放大器102，该放大器包括接收输入信号S1的前置放大级301、连接到前置放大级301的功率放大级302以及将输出信号3的图像递送到前置放大级301的负反馈回路，功率放大级302包括两个供电电路155a、155b，这两个供电电路包括MOSFET晶体管M1、M2。本发明的特征在于，其包括：用于辅助充电的子电路、用于辅助对所述MOSFET晶体管M1、M2放电的子电路、以及电压移位子电路。

主权项：1.一种旨在控制至少一个扬声器R44的高功率音频放大器102，所述放大器包括：-前置放大级201、301，接收输入信号S1；-功率放大级202-203、302，连接到所述前置放大级201、301，并提供旨在为所述至少一个扬声器R44供电的输出信号3；所述前置放大级201、301和所述功率放大级202-203、302包括彼此镜像安装的上部和下部；-反馈，向所述前置放大级201、301提供所述输出信号3的图像；-上电源电路151-155、155a，连接到所述功率放大级202-203、302的所述上部，并且使其能够由第一或第二电源总线V++、V+供电；-下电源电路155b，连接到所述功率放大级202-203、302的所述下部，并且使其能够由第一或第二电源总线供电；-各个电源电路151-155、155a、155b包括MOSFET晶体管M1、M2和监测装置，所述MOSFET晶体管M1、M2由所述监管装置控制，以便在所述两条电源总线V++、V+中的一者或另一者之间进行切换，所述MOSFET晶体管M1、M2经由第四二极管D3、D11连接到所述第二电源总线V+，所述第四二极管的第一端子连接到所述MOSFET晶体管M1、M2的源极，并且所述MOSFET晶体管M1、M2的漏极连接到所述第一电源总线V++，其特征在于，各个电源电路151-155、155a、155b还包括：-子电路131-133，用于辅助对所述MOSFET晶体管M1、M2充电，包括至少第一电阻器R24、R31，所述第一电阻器R24、R31的第一端子连接到所述MOSFET晶体管M1、M2的栅极，并且所述第一电阻器R24、R31的第二端子连接到互连点A1；-子电路141，用于辅助对所述MOSFET晶体管M1、M2放电，包括至少第二和第三电阻器R8、R27、R21、R39以及双极晶体管Q12、Q13；所述双极晶体管Q12、Q13的基极连接到所述第三电阻器R21、R39的第一端子，其发射极连接到所述MOSFET晶体管M1、M2的所述栅极，并且其集电极经由所述第二电阻器R8连接到所述MOSFET晶体管M1、M2的所述源极，所述第三电阻器R21、R39的第二端子连接到所述互连点A1、A2；以及-电压移位子电路161-163，包括与第一电容器C18、C23并联安装的第一二极管D8、D10；所述第一二极管D8、D10的第一端子和所述第一电容器C18、C23的第一端子连接到第一互连节点N1、N4，所述第一互连节点本身连接到所述用于辅助放电的所述子电路141的所述互连点A1、A2；所述第一二极管D8、D10的第二端子和所述第一电容器C18、C23的第二端子连接到第二互连节点N2、N3，所述第二互连节点本身连接到所述输出信号3。

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