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申请/专利权人：株式会社POWDEC
摘要：该常关型极化超结GaN基场效应晶体管具有：未掺杂GaN层11、AlxGa1‑xN层120＜x＜1、岛状的未掺杂GaN层13、p型GaN层14、p型InyGa1‑yN层150＜y＜1、p型InyGa1‑yN层15上的栅电极16、AlxGa1‑xN层12上的源电极17和漏电极18。在将AlxGa1‑xN层12与未掺杂GaN层11之间的异质界面和AlxGa1‑xN层12与未掺杂GaN层13之间的异质界面的极化电荷量设为NPZ、将AlxGa1‑xN层12的厚度设为d时，NPZd≤2.64×1014[cm‑2nm]成立。
主权项：1.一种常关型极化超结GaN基场效应晶体管，具有：第一未掺杂GaN层、所述第一未掺杂GaN层上的AlxGa1-xN层0＜x＜1、所述AlxGa1-xN层上的具有岛状形状的第二未掺杂GaN层、所述第二未掺杂GaN层上的p型GaN层、所述p型GaN层上的p型InyGa1-yN层0＜y＜1、与所述p型InyGa1-yN层电连接的栅电极、所述AlxGa1-xN层上的源电极、和所述AlxGa1-xN层上的漏电极，所述p型GaN层存在于所述第二未掺杂GaN层的整个面上或仅存在于所述第二未掺杂GaN层的所述源电极侧的单侧部分，在所述p型GaN层存在于所述第二未掺杂GaN层的整个面上的情况下，所述p型InyGa1-yN层仅存在于所述p型GaN层的所述源电极侧的单侧部分，在所述p型GaN层仅存在于所述第二未掺杂GaN层的所述源电极侧的单侧部分的情况下，所述p型InyGa1-yN层存在于所述p型GaN层的整个面或一部分上，在将所述AlxGa1-xN层与所述第一未掺杂GaN层之间的异质界面以及所述AlxGa1-xN层与所述第二未掺杂GaN层之间的异质界面的极化电荷量设为NPZ、将所述AlxGa1-xN层的厚度设为d时，NPZd≤2.64×1014[cm-2nm]，所述p型InyGa1-yN层的In组成y和厚度t选择为满足y×t≤0.20×5[nm]。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社POWDEC 常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备
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