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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请适用于干法刻蚀领域，提供了一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质。其中，上述干法刻蚀设备的腔体清理方法具体包括：获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数；若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。本申请的实施例能够在合适的时机进行腔体清理，以在保证晶圆良率的同时，降低制造成本。
主权项：1.一种干法刻蚀设备的腔体清理方法，其特征在于，包括：获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数，其中，N为大于0，且小于或等于H的正整数，H为所述多个晶圆的晶圆总数加一的值；若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理；在所述根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数的步骤中，对单种间隔时长对应的自相关系数的计算步骤，包括：根据所述多个晶圆中每个晶圆对应的元素浓度，计算所述多个晶圆对应的平均元素浓度；根据所述多个晶圆中每个晶圆对应的元素浓度、所述平均元素浓度、以及自相关系数公式，计算所述单种间隔时长对应的自相关系数，其中，所述自相关系数公式为其中，rk表示所述单种间隔时长对应的自相关系数，k表示所述单种间隔时长，M表示所述多个晶圆的晶圆总数，μ表示所述平均元素浓度，xt表示所述多个晶圆中第t个进入所述干法刻蚀设备的晶圆对应的元素浓度。
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权利要求：
百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质
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