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摘要：本发明提供了一种分裂栅闪存单元，包括：绝缘体上半导体衬底，包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、绝缘埋层及第二半导体层；浅沟槽隔离结构，从所述第二半导体层向下延伸至所述第一半导体层中，所述浅沟槽隔离结构限定出第一区域和第二区域；两个栅极结构，位于所述第二半导体层上并位于所述第一区域内；源区及两个漏区，位于所述第一区域内，并交替排布在所述栅极结构两侧的第二半导体层中；两个体区，位于所述第二区域内，且排布在所述浅沟槽隔离结构外侧的第二半导体层中；两个掺杂区，两个所述掺杂区均位于所述绝缘埋层下方的第一半导体层中。本发明以实现分裂栅闪存单元的阈值电压可调，提高器件的灵活性。
主权项：1.一种分裂栅闪存单元，其特征在于，包括：绝缘体上半导体衬底，包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、绝缘埋层及第二半导体层；浅沟槽隔离结构，从所述第二半导体层向下延伸至所述第一半导体层中，所述浅沟槽隔离结构限定出第一区域和第二区域；两个栅极结构，位于所述第二半导体层上并位于所述第一区域内，所述栅极结构包括控制栅结构和选择栅结构，所述控制栅结构和所述选择栅结构并排设置且紧密排列；源区及两个漏区，位于所述第一区域内，并交替排布在所述栅极结构两侧的第二半导体层中，所述源区位于两个所述漏区之间；两个体区，位于所述第二区域内，且排布在所述浅沟槽隔离结构外侧的第二半导体层中；两个掺杂区，包括第一掺杂区及第二掺杂区，两个所述掺杂区均位于所述绝缘埋层下方的第一半导体层中，其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型不同，所述第一掺杂区位于所述源区及两个所述选择栅的正下方，所述第二掺杂区位于所述漏区及两个所述控制栅的正下方，两个所述掺杂区的底部高于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一掺杂区将所述第二掺杂区划分为两部分，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区并排设置且紧密排列，且均与所述绝缘埋层的底部接触。
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百度查询： 上海华力微电子有限公司 分裂栅闪存单元
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