龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种分裂栅闪存单元，包括：绝缘体上半导体衬底，包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、绝缘埋层及第二半导体层；浅沟槽隔离结构，从所述第二半导体层向下延伸至所述第一半导体层中，所述浅沟槽隔离结构限定出第一区域和第二区域；两个栅极结构，位于所述第二半导体层上并位于所述第一区域内；源区及两个漏区，位于所述第一区域内，并交替排布在所述栅极结构两侧的第二半导体层中；两个体区，位于所述第二区域内，且排布在所述浅沟槽隔离结构外侧的第二半导体层中；两个掺杂区，两个所述掺杂区均位于所述绝缘埋层下方的第一半导体层中。本发明以实现分裂栅闪存单元的阈值电压可调，提高器件的灵活性。
主权项：1.一种分裂栅闪存单元，其特征在于，包括：绝缘体上半导体衬底，包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、绝缘埋层及第二半导体层；浅沟槽隔离结构，从所述第二半导体层向下延伸至所述第一半导体层中，所述浅沟槽隔离结构限定出第一区域和第二区域；两个栅极结构，位于所述第二半导体层上并位于所述第一区域内，所述栅极结构包括控制栅结构和选择栅结构，所述控制栅结构和所述选择栅结构并排设置且紧密排列；源区及两个漏区，位于所述第一区域内，并交替排布在所述栅极结构两侧的第二半导体层中，所述源区位于两个所述漏区之间；两个体区，位于所述第二区域内，且排布在所述浅沟槽隔离结构外侧的第二半导体层中；两个掺杂区，包括第一掺杂区及第二掺杂区，两个所述掺杂区均位于所述绝缘埋层下方的第一半导体层中，其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型不同，所述第一掺杂区位于所述源区及两个所述选择栅的正下方，所述第二掺杂区位于所述漏区及两个所述控制栅的正下方，两个所述掺杂区的底部高于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一掺杂区将所述第二掺杂区划分为两部分，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区并排设置且紧密排列，且均与所述绝缘埋层的底部接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 分裂栅闪存单元
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号