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申请/专利权人：昆明理工大学;昆明理工恒达科技股份有限公司
摘要：本发明涉及一种构建铋基负极材料表面电子迁移通道的方法，属于锂离子电池负极技术领域。本发明以硫脲、硒脲或碲酸钠为原料，和铋源反应生成前驱体Bi2X3X＝S,Se或Te，前驱体Bi2X3经还原实现晶粒表面金属化得到前驱体Bi2X3Bi，前驱体Bi2X3Bi与CNT复合得到前驱体Bi2X3Bi@CNT，前驱体Bi2X3Bi@CNT与聚苯胺复合得到前驱体Bi2X3Bi@CNT@PANI，前驱体Bi2X3Bi@CNT@PANI在保护气氛下恒温处理使其外表面碳化以构建铋基负极材料表面电子迁移通道。以本发明铋基负极材料作为锂电半电池的负极，其电化学性能稳定，电池比容量较高，且循环稳定性优越。
主权项：1.一种构建铋基负极材料表面电子迁移通道的方法，其特征在于，具体步骤如下：1将铋源和Y溶解于去离子水中，加入盐酸并搅拌混匀得到反应体系A，反应体系A置于温度120～160℃下恒温反应10～16h，固液分离，固体经洗涤、烘干得到前驱体Bi2X3；其中Y为硫脲，硒脲或碲酸钠，X为与Y对应的S、Se或Te；2将前驱体Bi2X3分散于去离子水中，加入硼氢化钠和NaOH并搅拌均匀得到反应体系B，反应体系B置于温度为150～180℃下恒温反应30～120min，固体经洗涤、烘干得到前驱体Bi2X3Bi；3将前驱体Bi2X3Bi和碳纳米管加入到无水乙醇中得到体系C，体系C经超声处理20～30min后搅拌30～60min，静置分离固液，去除上清液后烘干得到前驱体Bi2X3Bi@CNT；4将前驱体Bi2X3Bi@CNT和聚苯胺分散于N-甲基吡咯烷酮中得到体系D，体系D置于温度80～100℃下恒温搅拌至干燥，得到前驱体Bi2X3Bi@CNT@PANI；5在保护气体氛围中，前驱体Bi2X3Bi@CNT@PANI匀速升温至温度300～400℃并恒温处理3～4h，得到外表面碳化和晶粒表面金属化的铋基负极材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明理工大学 昆明理工恒达科技股份有限公司 一种构建铋基负极材料表面电子迁移通道的方法
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