龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：天津谱芯科技有限公司;宁波知谱科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种阵列探测器单像素结构，该结构利用单个光电转换单元实现成像，突破了利用二维阵列探测器件的传统成像方式，大大降低了对探测器的要求，同时保证了高光效率和良好的光学性能。该阵列探测器单像素结构采用InGaAs材料制成，具有高灵敏度和高光谱响应率，适用于近红外光谱的检测。
主权项：1.一种阵列探测器单像素结构，其特征在于：该单像素结构为半导体层叠结构，包括：InP衬底（1），用于支撑光电二极管阵列；N-InP层2，设置在InP衬底1上；InGaAs层3，设置在N-InP层2上，P-InP层（4）设置在InGaAs层（3）上，用于实现光电二极管阵列的光电转换功能和背照式工作方式；InGaAs欧姆接触层（5），设置在P-InP4层上，用于将光电二极管阵列的光电流转换为电流；聚酰亚胺钝化层6，设置在InGaAs欧姆接触层5上，并包覆InP衬底（1）、N-InP层（2）、InGaAs层（3）、P-InP层（4）以及InGaAs欧姆接触层（5），用于保护阵列探测器单像素结构免受外界环境的干扰；阳极金属电极（7），设置在InGaAs欧姆接触层（5）上，用于收集输出的电荷；共阴极金属电极（8），设置在N-InP层（2）一侧上，用于将阳极金属电极输出的电荷传输到外部电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津谱芯科技有限公司 宁波知谱科技有限公司 阵列探测器单像素结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号