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申请/专利权人：协鑫集成科技股份有限公司

摘要：本申请公开一种LECO激光辅助烧结的背接触电池制备方法，包括通过工装夹具固定电池片，进行LECO激光辅助烧结；工装夹具包括绝缘固定件、沿长度方向依次滑动设置在绝缘固定件上的若干探针排、呈一对一锁定探针排与绝缘固定件相对位置的锁定件和呈一对一导电连接在探针排上的导线，若干探针排一对一交替接触磷扩N+层上的主栅线和硼扩P+层上的主栅线，对应导线交替连接至外部电源的正极和负极。本申请的生产效率高，制造成本低，且通过本申请的制备方法制得的背接触电池的电池填充率高且电池效率高。

主权项：1.一种LECO激光辅助烧结的背接触电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：通过湿法碱抛槽式机对N型硅片进行清洗和双面抛光；S2：通过单插PECVD工艺，在N型硅片的背面沉积第一隧穿氧化层和第一多晶硅层；S3：通过双插PECVD工艺进行硼扩散，在N型硅片的背面形成硼扩P+层和BSG层；S4：通过激光工艺，去除N型硅片背面第一区域的BSG层；S5：通过湿法碱抛槽式机对第一区域进行清洗，去除第一区域的硼扩P+层和第一隧穿氧化层，并向下刻蚀1～2nm，以露出平整的N型硅片；S6：通过单插PECVD工艺，在N型硅片背面第一区域沉积第二隧穿氧化层和第二多晶硅层；S7：通过双插PECVD工艺进行磷扩散，在N型硅片背面第一区域形成磷扩N+层和PSG层；S8：通过激光工艺，去除N型硅片背面第二区域的PSG层，以在N型硅片背面的硼扩P+层与磷扩N+层之间形成Gap区；S9：在N型硅片的正面以及侧面形成绕扩的PSG，通过湿法酸槽链式机去除；S10：N型硅片通过制绒槽正面制绒，同时去除N型硅片背面的PSG层、BSG层；S11：将N型硅片的正面和背面镀氧化铝膜和减反射膜；S12：在磷扩N+层和硼扩P+层上分别印刷栅线电极，进行烧结和光注入形成电池片；S13：通过工装夹具固定电池片，进行LECO激光辅助烧结；所述工装夹具包括绝缘固定件、沿长度方向依次滑动设置在所述绝缘固定件上的若干探针排、呈一对一锁定所述探针排与所述绝缘固定件相对位置的锁定件和呈一对一导电连接在所述探针排上的导线，若干所述探针排一对一交替接触所述磷扩N+层上的主栅线和所述硼扩P+层上的主栅线，对应所述导线交替连接至外部电源的正极和负极。

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