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申请/专利权人：维林光电有限公司
摘要：用于光泵浦半导体激光器和电泵浦半导体激光器两者的一些半导体增益芯片包含透光层，透光层用于冷却或其他目的。如果透光层中的一个或多个位于激光腔内部，则这些层可能会引起不需要的标准具效应。本发明提供了去除这种不需要的标准具效应的方式，通过使芯片与光束轴线成角度，并确定芯片的元件的尺寸，使得基本上避免在透光层中的任何标准具效应，同时保留在半导体增益结构中的标准具效应。
主权项：1.一种半导体激光器，包括在激光腔内的半导体增益芯片，所述激光腔限定光束轴线，所述半导体增益芯片包括半导体层，所述半导体层限定具有第一面和第二面的半导体增益结构，所述半导体增益结构具有标准具效应，第一透光层在所述半导体增益结构的所述第一面上与所述半导体增益结构相邻，所述层具有相应的面，所述层的所述面限定面部平面，所述半导体增益芯片从所述光束轴线倾斜，所述倾斜限定倾斜角度，所述倾斜角度被选择为使得：所述第一透光层不具有标准具效应，同时半导体增益结构标准具效应被保留。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 维林光电有限公司 用于去除半导体增益芯片中不需要的标准具效应的方法
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