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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院
摘要：本发明公开了一种具有雪崩能力的横向GaNHEMT器件结构，包括在垂直方向上依次布置的衬底层、GaN外延层、掺杂GaN层、缓冲层、GaN沟道层和势垒层；掺杂GaN层包括p‑GaN层和n阱，p‑GaN层上淀积阳极，n阱上淀积阴极，其中阳极与器件的源电极相接，阴极与器件的漏电极相接，从而为器件在水平方向上引入p‑n结结构。进一步地，p‑GaN层上的第一区域进行p型重掺杂，形成p+GaN区，阳极淀积于p+GaN区；n阱上的第二区域进行n型重掺杂，形成n+GaN区，阴极淀积于n+GaN区，通过调整掺杂浓度，将p‑n结的雪崩电压BVAVA调节到HEMT器件的失效电压之下，在UIS过程中，当器件突然关断，感性电动势加在器件漏源两端时，该结构能将漏源电压嵌位在安全值而避免产生破坏性击穿使管子损坏。
主权项：1.一种具有雪崩能力的横向GaNHEMT器件结构，其特征在于，包括在垂直方向上依次布置的衬底层、GaN外延层、掺杂GaN层、缓冲层、GaN沟道层和势垒层；所述掺杂GaN层包括p-GaN层和n阱，所述p-GaN层上淀积阳极，所述n阱上淀积阴极，其中阳极与器件的源电极相接，阴极与器件的漏电极相接，从而为器件在水平方向上引入p-n结结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 一种具有雪崩能力的横向GaN HEMT器件结构
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