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申请/专利权人：安世有限公司
摘要：本发明公开一种制造诸如功率MOSFET等半导体器件的方法以及半导体器件。该方法包括：形成金属层，金属层包括边缘，金属层在该边缘处结束；在比金属层高的层上形成钝化层；以及在钝化层中形成钝化层槽，其中钝化层槽至少部分地被定位在金属层之上，并且其中钝化层槽将钝化层分为多个区域，其中每个区域由于钝化层槽而经受到减小的拉伸应力σSiNx。
主权项：1.一种制造半导体器件400，500，600，610，700，710，720，730，800，900，910，920，1000的方法1100，所述方法包括：在所述半导体器件的硅外延层104，304，402，1002上方形成1102金属层404，1004，所述金属层包括边缘1010，所述金属层在所述边缘处结束；形成1104至少部分地覆盖所述金属层的钝化层406；以及在所述钝化层中形成1106钝化层槽450，502，606，616，618，706，716，718，726，728，736，806，906，916，926，1050，其中，所述钝化层槽至少部分地被定位在所述金属层之上，并且其中，所述钝化层槽将所述钝化层分为多个区域452，454，1052，1054，其中每个区域由于所述钝化层槽而经受到减小的拉伸应力σSiNx，其中，所述钝化层槽被形成为连续的钝化层槽606，616，618，806，906，916，926，其中，所述钝化层槽为多边形形状，其中，所述钝化层槽被形成为以下各项之一：蛇形钝化层槽806；蜂窝状钝化层槽906；十字交叉形钝化层槽916；锯齿形钝化层槽926。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安世有限公司 半导体器件的钝化层中的零应力区和受控断裂区
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