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申请/专利权人：上海海栎创科技股份有限公司

申请日：2018-10-31

公开（公告）日：2024-10-01

公开（公告）号：CN109164861B

专利技术分类：..其中由末级控制器实际调节的变量是直流的（G05F1/625优先）[2006.01]

专利摘要：本发明属于集成电路设计领域，特别涉及一种快速瞬态响应的低压差线性稳压器，包括基准电压源、误差放大器、串联调整管MNO以及第一电阻R1和第二电阻R2组成的电阻反馈网络，还包括连接在误差放大器输出端与串联调整管MNO栅端之间的缓冲器，连接在串联调整管MNO栅端与源端之间的负载瞬态响应增强电路，连接在误差放大器与负载瞬态响应增强电路之间的自适应补偿控制电路，以及提供工作电流的偏置电路。自适应零点补偿提高了稳压器的环路稳定性，NMOS串联调整管及负载瞬态响应增强电路增强了稳压器的负载瞬态响应，在无片外电容、不明显增加静态功耗的情况下，本发明获得了低压差线性稳压器负载瞬态响应性能的提升。

专利权项：1.一种快速瞬态响应的低压差线性稳压器，其特征在于：包括基准电压源、误差放大器、串联调整管MN0以及第一电阻R1和第二电阻R2组成的电阻反馈网络；所述串联调整管MN0的漏端连接供电电源，源端连接稳压器输出端VOUT和第一电阻R1的一端，所述第二电阻R2的一端接地；还包括连接在所述误差放大器输出端与串联调整管MN0栅端之间的缓冲器，连接在所述串联调整管MN0栅端与源端之间的负载瞬态响应增强电路，连接在所述误差放大器与负载瞬态响应增强电路之间的自适应补偿控制电路，以及提供工作电流的偏置电路；所述偏置电路包括电流源IB、NMOS管MN1、NMOS管MN2以及PMOS管MP0，所述电流源IB的一端连接电源，其另一端连接所述NMOS管MN1漏端，所述NMOS管MN1源端接地，其栅端与漏端相连，所述NMOS管MN2栅端与所述NMOS管MN1栅端连接，其源端接地，漏端与所述PMOS管MP0漏端连接，所述PMOS管MP0源端接电源，其栅端与漏端相连；所述误差放大器的同相输入端连接基准电压源，其反相输入端连接第一电阻R1和第二电阻R2的共同端，所述串联调整管MN0的漏端连接供电电源，其源端连接稳压器输出端VOUT和第一电阻R1的一端，所述第二电阻R2的一端接地；所述误差放大器包括PMOS管MP1、栅端作为反相输入端的PMOS管MP2、栅端作为正相输入端的PMOS管MP3，还包括PMOS管MP4、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6和电容Cc，所述PMOS管MP1源端接电源，栅端与PMOS管MP0栅端连接，漏端连接PMOS管MP2源端和PMOS管MP3源端，PMOS管MP2的漏端连接NMOS管MN3的漏端，NMOS管MN3源端接地，其栅端与漏端相连，且与NMOS管MN4栅端连接，NMOS管MN4源端接地，其漏端与PMOS管MP3漏端连接，PMOS管MP4源端接电源，其栅端连接PMOS管MP0栅端，其漏端与NMOS管MN5漏端连接，NMOS管MN5源端接地，其栅端与NMOS管MN6漏端共同连接NMOS管MN4漏端，所述电容Cc的两端分别与NMOS管MN5漏端和NMOS管MN6源端连接，NMOS管MN6栅端连接自适应补偿控制电路；所述缓冲器包括栅端连接PMOS管MP0栅端，源端连接电源的PMOS管MP5，和栅端连接NMOS管MN5和PMOS管MP4共同端，漏端接地的PMOS管MP6，且所述PMOS管MP5漏端和PMOS管MP6源端共同连接到串联调整管MN0栅端；所述自适应补偿控制电路包括PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMOS管MN9、NMOS管MN10，所述PMOS管MP7源端接电源，栅端接PMOS管MP8栅端，漏端接NMOS管MN7漏端，且PMOS管MP7栅端与漏端相连，NMOS管MN7源端接地，栅端接NMOS管MN1栅端，PMOS管MP8源端接电源，漏端接NMOS管MN10漏端，NMOS管MN10栅端与漏端相连且与NMOS管MN6栅端连接，源端连接NMOS管MN8漏端，NMOS管MN8源端接地，栅端连接NMOS管MN1栅端，PMOS管MP9源端接电源，漏端接NMOS管MN9漏端，栅端连接负载瞬态响应增强电路，NMOS管MN9源端接地，栅端与漏端相连且与NMOS管MN8漏端连接；所述NMOS管MN6的栅端与所述NMOS管MN10的栅端及漏端连接。

百度查询： 上海海栎创科技股份有限公司 一种快速瞬态响应的低压差线性稳压器