买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司

摘要：本申请实施例涉及一种沟槽栅晶体管及其制备方法，包括：提供包括依次层叠的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的半导体材料层；在第三半导体层中形成体区；对第二半导体层的部分区域进行反型掺杂，以形成电流通过区，第二半导体层中未被反型掺杂的部分形成电场屏蔽区；形成从第三半导体层的上表面延伸至半导体材料层的内部的第一沟槽；从第一沟槽进行离子注入，形成第一电场屏蔽结构，第一电场屏蔽结构与第二半导体层的电场屏蔽区相接触；形成从第三半导体层的上表面延伸至第三半导体层的内部的第二沟槽，第二沟槽为栅极沟槽且与第一沟槽相交；第二沟槽的侧壁包括沿延伸方向排布的第一部分和第二部分；第一部分与第一电场屏蔽结构邻接；第二部分与体区邻接；在垂直于第三半导体层的上表面的方向上，电流通过区的投影与第二沟槽的投影相交。如此，可以提升器件的可靠性。

主权项：1.一种沟槽栅晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体材料层，所述半导体材料层包括依次层叠的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，所述第一半导体层和所述第三半导体层具有第一导电类型，所述第二半导体层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；在所述第三半导体层中形成具有第二导电类型的体区；对所述第二半导体层的部分区域进行反型掺杂，以形成具有第一导电类型的电流通过区，所述第二半导体层中未被反型掺杂的部分形成电场屏蔽区；所述电流通过区贯穿所述第二半导体层以在所述第一半导体层和所述第三半导体层之间形成电流流通路径；形成从所述第三半导体层的上表面延伸至所述半导体材料层的内部的第一沟槽；从所述第一沟槽进行离子注入，形成从所述第一沟槽的侧壁和底壁延伸至所述半导体材料层中的第一电场屏蔽结构，所述第一电场屏蔽结构与所述第二半导体层的所述电场屏蔽区相接触；形成从所述第三半导体层的上表面延伸至所述第三半导体层的内部的第二沟槽，所述第二沟槽为栅极沟槽且与所述第一沟槽相交；所述第二沟槽的侧壁包括沿延伸方向排布的第一部分和第二部分，所述延伸方向指所述第二沟槽的侧壁在所述第三半导体层的上表面上的延伸方向；所述第一部分与所述第一电场屏蔽结构邻接；所述第二部分与所述体区邻接；在垂直于所述第三半导体层的上表面的方向上，所述电流通过区的投影与所述第二沟槽的投影相交。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 沟槽栅晶体管及其制备方法