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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种半导体图形的形成方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底和光罩；在光罩对准第一位置的情况下，通过曝光显影在衬底上形成第一光阻层；第一光阻层包括沿预设方向周期排列的第一图形，其沿预设方向的尺寸为第一长度；形成覆盖第一光阻层的第一阻挡层；在光罩对准第二位置的情况下，通过曝光显影形成第二光阻层；第二位置是第一位置沿预设方向移动第二长度后的位置；第二光阻层部分地覆盖第一光阻层；对未被第二光阻层覆盖的第一光阻层进行刻蚀，使第一光阻层形成沿预设方向周期排列的第二图形，其沿预设方向的尺寸为第三长度，第三长度等于第一长度与第二长度之差；去除第二光阻层。本公开减小了半导体图形的特征尺寸。
主权项：1.一种半导体图形的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底和光罩；在所述光罩对准第一位置的情况下，通过曝光显影在所述衬底上形成第一光阻层；所述第一光阻层包括沿预设方向周期排列的第一图形，所述第一图形沿所述预设方向的尺寸为第一长度；形成覆盖所述第一光阻层的第一阻挡层；在所述光罩对准第二位置的情况下，通过曝光显影形成第二光阻层；所述第二位置是所述第一位置沿所述预设方向移动第二长度后的位置；所述第二光阻层部分地覆盖所述第一光阻层的上方；对未被所述第二光阻层覆盖的所述第一光阻层进行刻蚀，使所述第一光阻层形成沿所述预设方向周期排列的第二图形，所述第二图形沿所述预设方向的尺寸为第三长度，所述第三长度等于所述第一长度与所述第二长度之差；去除所述第二光阻层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体图形的形成方法
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