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申请/专利权人：峨眉山市晶辉硅业科技有限公司
摘要：本发明公开了一种利用X荧光快速检测硅粉杂质元素的方法，属于硅粉检测技术领域，目的在于解决现有硅粉杂质元素检测结果不精准的问题。其包括以下步骤：取20g硅粉标准样品，进行二次研磨；称取5g二次研磨后的硅粉标准样品，压制成标准样片；制备三枚标准样片；将三枚标准样片依次放入X射线荧光光谱仪进行分析测定，将三枚标准样片分析测定的标准曲线进行修正拟合后，建立标准样片的基准曲线；取20g硅粉测试样品，进行二次研磨；称取5g二次研磨后的硅粉测试样品，压制成测试样片；将测试样片放入X射线荧光光谱仪中，依靠基准曲线分析测定测试样片，获取硅粉测试样品中各杂质元素的含量。本发明适用于一种利用X荧光快速检测硅粉杂质元素的方法。
主权项：1.一种利用X荧光快速检测硅粉杂质元素的方法，其特征在于，包括以下步骤：1标准样片制备：1.1取20g硅粉标准样品，进行研磨，研磨时间300-420s，得到研磨细的硅粉标准样品，将研磨细的硅粉标准样品、1-3g粘结剂、0.3g助研剂放入研钵内二次研磨，研磨时间30-60s；1.2称取5g二次研磨后的硅粉标准样品，压制成标准样片；1.3重复步骤1.1-步骤1.2，制备三枚标准样片；2建立基准曲线：将步骤1.3中的三枚标准样片依次放入X射线荧光光谱仪进行分析测定，将三枚标准样片分析测定的标准曲线进行修正拟合后，建立标准样片的基准曲线；3测试样片制备：3.1取20g硅粉测试样品，进行研磨，研磨时间300-420s，得到研磨细的硅粉测试样品，将研磨细的硅粉测试样品、1-3g粘结剂、0.3g助研剂放入研钵内二次研磨，研磨时间30-60s；3.2称取5g二次研磨后的硅粉测试样品，压制成测试样片；4样片测试：将测试样片放入X射线荧光光谱仪中，依靠步骤2建立的基准曲线分析测定测试样片，经x射线荧光光谱仪检测后，获取硅粉测试样品中各杂质元素的含量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 峨眉山市晶辉硅业科技有限公司 一种利用X荧光快速检测硅粉杂质元素的方法
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