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申请/专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了降低SiO24H‑SiC界面态密度的方法及应用。所述处理方法包括：提供界面结构；进行低温等离子体处理，所采用的等离子体气氛包含N2O；之后进行高温快速退火处理，获得低界面态密度的界面结构。本发明所提供的处理方法，通过采用等离子体低温处理技术，将N、O和P等离子体扩散至氧化层的界面处，然后经过快速高温快速退火技术，O可以与界面的C反应以CO形式释放，从而降低了C团簇密度，同时N起到一定钝化悬挂键的作用，有利于提高界面质量，P能降低界面的有效负电荷，这对降低近界面氧化层中的陷阱电荷有促进作用。本发明可以降低界面有效负电荷，降低界面态密度，改善界面质量，进而提高所制备的器件的氧化层击穿场强，提高栅极的耐压性能，减小栅极漏电流，提高器件可靠性。
主权项：1.一种降低SiO24H-SiC界面态密度的处理方法，其特征在于，包括：提供SiO24H-SiC界面结构，其中的SiO2层为4H-SiC层经过表面氧化形成的；对所述SiO24H-SiC界面结构进行低温等离子体处理，所述低温等离子体处理所采用的等离子体气氛包含N2O，且所述低温等离子体处理使得N和O元素扩散至SiO2层与4H-SiC层的界面；之后对SiO24H-SiC界面结构进行高温快速退火处理，获得低界面态密度的SiO24H-SiC界面结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东中科半导体微纳制造技术研究院 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 降低SiO2/4H-SiC界面态密度的方法及应用
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