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申请/专利权人：湖南大学

摘要：本发明公开了一种异质器件混合型DAB拓扑及全周期软开关运行方法，该拓扑包括：输入侧桥臂组、变压器组与输出侧桥臂组；该拓扑的全周期软开关运行方法，包括：能量正向传输状态和能量反向传输状态；本发明可以实现所有开关管的软开关，且在ZCS开关处采用SiIGBT，在ZVS开关处采用SiCMOSFET，完全消除了HDH‑DAB运行过程中的开关损耗，最大化提升了HDH‑DAB的运行效率；且本发明通过在输出侧桥臂组采用反并联IGBT器件，使HDH‑DAB具有能量双向传输的能力。

主权项：1.一种异质器件混合型DAB拓扑，其特征在于，包括：输入侧桥臂组、变压器组与输出侧桥臂组；输入侧桥臂包括输入电容桥臂、主功率桥臂和副功率桥臂，输入电压Vin的正负极分别依次连接输入电容桥臂、主功率桥臂和副功率桥臂的两端，其中输入电容桥臂中包括串联的输入电容Ci1和Ci2，Ci1的负极与Ci2正极相连形成的结点为B点，主功率桥臂包括串联的IGBTQ1和Q2，且Q1与Q2中含反并联二极管，Q1的发射极与Q2的集电极相连形成的结点为A点，副功率桥臂包括串联的MOSFETQ3和Q4，Q3源极和Q4漏极相连形成的结点为C点；变压器组包括主功率变压器Tr1、副功率变压器Tr2和传输电感L，Tr1原边正极与传输电感L一端相连，Tr1原边负极与B点相连；Tr2原边正极分别与L的另一端以及A点相连，Tr2原边负极与C点相连；Tr1副边负极与Tr2副边正极相连；输出侧桥臂组包括4个IGBT组和输出电容Co，每个IGBT组中均包括两个反并联的IGBT，其中第一至第四IGBT组中的正向IGBT依次为S11、S21、S31和S41，反向IGBT依次为S12、S22、S32和S42；将每个IGBT组中的正向IGBT的发射极与反向IGBT的集电极相连的结点作为第一公共端，正向的IGBT的集电极和反向IGBT的发射极相连的结点作为第二公共端，且第一IGBT组的第一公共端与第二IGBT组的第二公共端相连的结点连接于Tr1副边正极，第一IGBT组的第二公共端与第三IGBT组的第二公共端相连的结点连接于Co的正极，第三IGBT组的第一公共端与第四IGBT组的第二公共端相连的结点连接于Tr2副边负极，第二IGBT组的第一公共端与第四IGBT组的第一公共端相连的结点连接于Co的负极，Co的正负极分别作为输出电压Vo的正负极。

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百度查询： 湖南大学 一种异质器件混合型DAB拓扑及全周期软开关运行方法