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熔断器制造方法及相关装置 

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申请/专利权人:广东中贝能源科技有限公司

摘要:本申请提供了一种熔断器制造方法及相关装置,方法包括:获取针对熔断器的处理指令,根据所述处理指令,执行以下处理:对金属胚体进行预处理得到预设规格的初始熔体;将所述初始熔体进行弯折处理,得到目标熔体;将所述目标熔体与预备好的壳体进行组装,得到初始熔断器;在所述壳体中填装灭弧材料,得到第一熔断器;在所述第一熔断器的壳体的空腔开口处涂覆密封材料;对所述密封材料进行固化,得到目标熔断器。这样,针对目标熔断器配置特定的制备程序,自动对熔断器进行处理,得到高分断能力的目标熔断器,实现对目标熔断器的自动化制备,提高制备效率。

主权项:1.一种熔断器制造方法,其特征在于,包括:获取针对熔断器的处理指令,根据所述处理指令,执行以下处理:对金属胚体进行预处理得到预设规格的初始熔体,所述预处理包括冲压和或切割;将所述初始熔体进行弯折处理,得到目标熔体;其中,所述目标熔体包括连接部、熔断部、第一电极和第二电极,所述熔断部的第一端具有延伸出来的垂直空腔开口方向、且与壳体的第一侧平行的第一连接部,所述第一连接部用于与第一电极连接;所述熔断部的第二端具有延伸出来的垂直空腔开口方向、且与壳体的第一侧平行的第二连接部,所述第二连接部用于与第二电极连接;所述熔断部的为左右对称结构,所述对称结构两侧分别以所述对称结构的交点为起始位置,向两侧对应的第一连接部和第二连接部的方向高度逐渐降低或升高;将所述目标熔体与预备好的壳体进行组装,得到初始熔断器;其中,所述壳体的一侧向内凹陷形成空腔,所述目标熔体设置在所述空腔内;所述第一电极沿所述壳体的第一侧延伸出所述壳体外,所述第二电极沿所述壳体的第一侧延伸出所述壳体外;在所述壳体中填装灭弧材料,得到第一熔断器;在所述第一熔断器的壳体的空腔开口处涂覆密封材料;对所述密封材料进行固化,得到目标熔断器。

全文数据:

权利要求:

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