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申请/专利权人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要：本发明涉及二极管技术领域，具体为一种GaN发光二极管制备方法，包括如下步骤：S1、图形化蓝宝石衬底上制作外延，包含N‑GAN、量子井、P‑GAN、GAN超强电流扩展层；S2、制作MESA蚀刻出N型区域；S3、制作ISO将切割道中间部分蚀刻到图形化蓝宝石衬底；S4、制作非金属反射层：图形化网状分布、岛状分布、金属导电反射层通过镂空孔洞和GAN超强电流扩展层联通，实现金属导电反射层和GAN联通。蓝宝石出光面使用图形化搭配干法蚀刻方案粗化，解决研磨粗化的芯片断裂隐患。
主权项：1.一种GaN发光二极管制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、图形化蓝宝石衬底上制作外延，包含N-GAN、量子井、P-GAN、GAN超强电流扩展层，GAN超强电流扩展通过掺杂Si实现；S2、制作MESA蚀刻出N型区域；S3、制作ISO将切割道中间部分蚀刻到图形化蓝宝石衬底；S4、制作非金属反射层：图形化网状分布、岛状分布、金属导电反射层通过镂空孔洞和GAN超强电流扩展层联通，实现金属导电反射层和GAN联通；S5、制作金属导电反射层：非金属反射层上方使用Ag、AL材料作为反射层和导电层，选择在Ag、Al下方增加10nm以下的金属附着层，选择金属CrTiNi；制作Ni、TiW、Ti、Pt金属复合层覆盖住Ag、Al反射层，起到保护作用，Ag、Al反射层厚度大于80nm；S6、制作金属保护层：按照金属导电反射层的轮廓外扩1-20um，覆盖住金属导电反射层的上表面和侧壁，叠层选择ALTINIPTAUCRTIW金属叠对，总厚度60nm-4500um；S7、制作金属串联电极一：分为P区和N区，通过非金属钝化层一上制作的连接孔，P区域连接金属导电反射层、N区连接N-GaN孔洞，电极具备附着层和结构层，附着层为CRNITI，结构层ALTIPTNIAU金属，总厚度50nm-5000um。
全文数据：
权利要求：
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