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申请/专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
摘要：本发明实施例提供一种异质结双极晶体管及其制备方法、射频放大器和射频模组。所述异质结双极晶体管包括隔离区，所述隔离区具有衬底和叠设于所述衬底上的半导体层，所述隔离区还设置有集电极接触层，所述衬底对应所述集电极接触层设置有背孔，所述背孔内设置有与所述集电极接触层电连接的第一金属层，所述半导体层围绕所述集电极接触层设置有隔离槽，所述隔离槽的深度范围为大于或等于所述半导体层厚度的二分之一。本实施例通过在半导体层上围绕背孔对应的集电极接触层设置隔离槽，通过隔离槽隔绝器件漏电的路径，降低异质结双极晶体管的器件漏电的风险，以提升异质结双极晶体管的产品性能。
主权项：1.一种异质结双极晶体管，其特征在于，包括隔离区，所述隔离区具有衬底和叠设于所述衬底上的半导体层，所述隔离区还设置有集电极接触层，所述衬底对应所述集电极接触层设置有背孔，所述背孔内设置有与所述集电极接触层电连接的第一金属层，所述半导体层围绕所述集电极接触层设置有隔离槽，所述隔离槽的深度范围为大于或等于所述半导体层厚度的二分之一，所述半导体层的厚度为所述半导体层远离所述衬底的表面至所述衬底与所述半导体层接触的表面的距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门市三安集成电路有限公司 异质结双极晶体管及其制备方法、射频放大器和射频模组
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