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申请/专利权人：厦门美日丰创光罩有限公司
摘要：本发明涉及一种相移掩模的制作方法，其将光罩图形分解为高精度的芯片设计图形和次级精度的辅助图形，高精度的芯片设计图形在一次描画的时候采用高精度的光刻机进行描画，次精度的辅助图形在二次描画的采用低精度的光刻机同时进行描画，可以提升高精度的光刻机的描画效率，进而提高整体的产能。
主权项：1.一种相移掩模的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供光罩基板，基板的表面由内至外依次覆盖有MoSi层、Cr层以及光阻层；S2、将光罩图形分解为高精度的芯片设计图形和次级精度的辅助图形，在一次描画制程中，采用满足芯片设计图形精度的高精度光刻机将芯片设计图形描画至基板上，并完成芯片设计图形的曝光显影制程；S3、重新在基板覆盖一光阻层，在二次描画制程中，采用满足辅助图形精度的次级精度光刻机在二次描画的时候同时将辅助图形描画至基板上，并完成二次描画图形以及辅助图形的曝光显影制程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门美日丰创光罩有限公司 一种相移掩模的制作方法
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