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申请/专利权人：西安工业大学
摘要：本发明属于新型碳材料领域，具体涉及一种原位生长的氢取代石墨单炔气体传感器及其制备方法。包括如下步骤：步骤一、将三甲基硅基乙炔溶于四氢呋喃中，加入正丁基锂、无水氯化锌，添加四钯和1,3,5—三溴苯，反应得到1,3,5—三乙炔苯；步骤二、制备两相溶液：将1,3,5—三乙炔苯溶于二氯甲烷中，缓慢加入纯水，形成水相；将双氯化钯（II），10‑40mg碘化亚铜，1,3,5—三溴苯加入到纯水中，形成水溶液；水溶液缓慢加入到水相中，形成两相溶液。步骤三、将FTO放入到两相相交界面处，氢取代石墨单炔的原位生长，得到表面敷有氢取代石墨单炔的气体传感器。本发明制备方法简单，成本低；NO探测极限可低至1ppm，对20ppmNO的响应‑恢复时间分别为51s和14s；在低温条件下（100℃）即可实现对NO高灵敏、快响应的探测。
主权项：1.一种原位生长的氢取代石墨单炔气体传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、前驱体1,3,5—三乙炔苯的合成：将三甲基硅基乙炔溶于四氢呋喃中，加入正丁基锂，并在-70-80℃下搅拌；称取无水氯化锌添加到上述溶液中，在惰性气体气氛下搅拌；添加四钯和1,3,5—三溴苯，反应得到1,3,5—三乙炔苯；步骤二、制备两相溶液：将1,3,5—三乙炔苯溶于二氯甲烷中，用玻璃棒搅拌均匀，之后一边搅拌一边沿烧杯壁缓慢加入纯水，形成水相；将双氯化钯（II），碘化亚铜，1,3,5—三溴苯加入到纯水中，形成水溶液；将上述水溶液缓慢加入到水相中，形成两相溶液；步骤三、氢取代石墨单炔的原位生长：将FTO放入到两相相交界面处，室温下反应，得到表面敷有氢取代石墨单炔的气体传感器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安工业大学 一种原位生长的氢取代石墨单炔气体传感器及其制备方法
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