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申请/专利权人：厦门未来显示技术研究院有限公司
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其所述有源层通过最后一个量子垒层与所述电子阻挡层形成接触；且，在所述电子阻挡层中嵌入最后一个量子阱层。基于上述结构，通过在最后一个量子垒层和最后一个量子阱层之间夹杂设有所述前置电子阻挡层，从而增加了电子有效势垒高度，藉以减少电子泄露；此外，通过在所述电子阻挡层中嵌入最后一个量子阱层，有利于增强其电子俘获能力并增加空穴隧穿使载流子在有源层分布更加均匀，最终得以提升LED芯片的整体发光性能；同时，可通过后置电子阻挡层进一步迟滞电子的迁移速率。
主权项：1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、有源层、电子阻挡层以及P型半导体层；其中，所述有源层包括交替堆叠的量子垒层和量子阱层，且所述有源层通过最后一个量子垒层与所述电子阻挡层形成接触；且，在所述电子阻挡层中嵌入最后一个量子阱层；其中，介于所述最后一个量子垒层与所述最后一个量子阱层之间的所述电子阻挡层为前置电子阻挡层，介于所述最后一个量子阱层与所述P型半导体层之间的所述电子阻挡层为后置电子阻挡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门未来显示技术研究院有限公司 一种LED外延结构及其制备方法
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