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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种低界面陷阱p‑NiOn‑Ga2O3异质结二极管及制备方法，解决了p‑NiOn‑Ga2O3异质结界面处界面陷阱较大，漏电流和导通电阻大的问题。本发明异质结二极管结构其自下而上包括:阴极金属，衬底，n型Ga2O3外延层，n型Ga2O3外延层上方设有p型NiO层，其中n型Ga2O3外延层与p型NiO层之间设有n型NixGa1‑xO层，构成异质pn结。制备方法：清洗外延片、制备n型NixGa1‑xO界面层、制备阴极金属、光刻形成NiO薄膜区、淀积p型NiO薄膜、光刻形成阳极金属区、制备阳极金属。本发明制备n型NixGa1‑xO界面层，通过高温退火使得金属镍扩散到氧化镓中形成界面层，用简单工艺得到了低界面陷阱的异质pn结，提高了器件可靠性和耐压值，减小了漏电流，用于制备高耐压的低界面缺陷氧化镍氧化镓异质结二极管。
主权项：1.一种低界面陷阱p-NiO-Ga2O3异质结二极管，自下而上包括:阴极金属、衬底、n型β-Ga2O3外延层、n型β-Ga2O3外延层上方设有p型NiO薄膜层、p型NiO薄膜层上方淀积了一层阳极金属，其特征在于：在n型β-Ga2O3外延层之上淀积金属Ni并高温退火，在n型β-Ga2O3外延层与p型NiO薄膜层之间形成n型NixGa1-xO界面层，在n型NixGa1-xO界面层与p型NiO薄膜层间形成异质p-n结；整体构成低界面陷阱的高耐压p型氧化镍-n型氧化镓异质结二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学 低界面陷阱p-NiO/n-Ga2O3异质结二极管及制备方法
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