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溴化钾晶体的生长方法 

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申请/专利权人:安徽光智科技有限公司

摘要:一种溴化钾晶体的生长方法包括步骤:S1,将纯度3N的KBr原料以及2wt%的PbBr2粉末作为添加剂,原料混合均匀后装入提拉炉的坩埚中;S2,将提拉炉抽真空保压;S3,步骤S2完成之后,向提拉炉内通入氮气,维持炉内1‑1.2×105Pa后停止通气,并维持炉体密闭:S4,升温至KBr熔点730℃时保温10h均化,之后升高温度至PbBr2沸点916℃保温10h,使熔体中的PbBr2挥发出熔体,之后降温至KBr晶体熔点730℃,保温10h;S5,在步骤S4完成之后,开始提拉法晶体生长;S6,在步骤S5完成后,出炉。由此,能够有效地去除溴化钾晶体的含氧基团。

主权项:1.一种溴化钾晶体的生长方法,其特征在于,包括步骤:S1,将纯度3N的KBr原料以及2wt%的PbBr2粉末作为添加剂,原料混合均匀后装入提拉炉的坩埚中;S2,将提拉炉抽真空保压;S3,步骤S2完成之后,向提拉炉内通入氮气,维持炉内1-1.2×105Pa后停止通气,并维持炉体密闭:S4,升温至KBr熔点730℃时保温10h均化,之后升高温度至PbBr2沸点916℃保温10h,使熔体中的PbBr2挥发出熔体,之后降温至KBr晶体熔点730℃,保温10h;S5,在步骤S4完成之后,开始提拉法晶体生长;S6,在步骤S5完成后,出炉。

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