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申请/专利权人：深圳众诚达应用材料股份有限公司
摘要：本发明属于氧化锡基靶材技术领域，提供了一种应用于高紫外透过薄膜的氧化锡基靶材及其制备方法。其中，氧化锡基靶材，其原料包括SnO2、第一掺杂组分、第二掺杂组分以及第三掺杂组分；所述第一掺杂组分包括Ga2O3、La2O3、Yb2O3、ZrO2、MgO中的至少一种，所述第二掺杂组分包括Sb2O3、CuO、Y2O3、SiO2、ZnO中的至少一种，所述第三掺杂组分包括B、Ge、Bi中的至少一种。本发明提供的氧化锡基靶材以SnO2作为主元，相比于ITO靶材成本较低，并且在第一掺杂组分、第二掺杂组分以及第三掺杂组分的协同作用下，赋予本发明氧化锡基靶材低电阻和高密度，并且其制备的薄膜具有高紫外光透过率。
主权项：1.一种应用于高紫外透过薄膜的氧化锡基靶材，其特征在于，其原料包括SnO2、第一掺杂组分、第二掺杂组分以及第三掺杂组分；所述第一掺杂组分包括Ga2O3、La2O3、Yb2O3、ZrO2、MgO中的至少一种，所述第二掺杂组分包括Sb2O3、CuO、Y2O3、SiO2、ZnO中的至少一种，所述第三掺杂组分包括B、Ge、Bi中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
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