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申请/专利权人：智新半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET模块的高温反向偏压测试装置、系统及方法，涉及MOSFET高温反向偏压测试技术领域，包括：驱动电路和控制电路，驱动电路包括第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关，第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关的不动端分别与待测试MOSFET模块中的上桥臂MOSFET管和下桥臂MOSFET管的栅极连接；控制电路用于控制第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关处于第一工作状态，以对MOSFET模块的MOSFET管进行负栅压老化测试；或者控制电路用于控制第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关处于第二工作状态，以对MOSFET模块的MOSFET管进行零栅压老化测试。本发明可在MOSFET模块的每一个MOSFET做高温反向偏压测试时，同步施压栅极负压应力，对MOSFET模块的每一个MOSFET进行充分的老化测试，筛选出栅极故障的个体MOSFET。
主权项：1.一种SiCMOSFET模块的高温反向偏压测试装置，其特征在于，包括：驱动电路，其包括第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关，所述第一单刀双掷开关的不动端与待测试MOSFET模块中的上桥臂MOSFET管的栅极连接，所述第二单刀双掷开关的不动端与待测试MOSFET模块中的下桥臂MOSFET管的栅极连接；控制电路，其与所述第一单刀双掷开关和所述第二单刀双掷开关电连接，且被配置为：所述控制电路用于控制所述第一单刀双掷开关和所述第二单刀双掷开关处于第一工作状态，以对MOSFET模块的MOSFET管进行负栅压老化测试；或者所述控制电路用于控制所述第一单刀双掷开关和所述第二单刀双掷开关处于第二工作状态，以对MOSFET模块的MOSFET管进行零栅压老化测试。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 智新半导体有限公司 SiC MOSFET模块的高温反向偏压测试装置、系统及方法
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