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抑制堆垛层错的形成的方法、由该方法制造的结构以及评估加工变质层的方法 

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申请/专利权人:学校法人关西学院;丰田通商株式会社

摘要:本发明要解决的问题是提供一种能够抑制堆垛层错形成的新技术。此外,本发明要解决的问题是提供一种能够抑制在半导体基板上外延生长过程中形成的堆垛层错的新技术。本发明提供了一种抑制堆垛层错的形成的方法,该方法包括:去除半导体基板10的加工变质层11的加工变质层去除工艺S10;以及对已去除加工变质层11的表面进行晶体生长的晶体生长工艺S20。

主权项:1.一种抑制堆垛层错的形成的方法,所述方法包括:去除半导体基板的加工变质层的加工变质层去除工艺;以及对已去除所述加工变质层的表面进行晶体生长的晶体生长工艺。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 学校法人关西学院 丰田通商株式会社 抑制堆垛层错的形成的方法、由该方法制造的结构以及评估加工变质层的方法

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