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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
摘要：本发明公开了一种热感知型铁电电容感存算器件，包括依次设置的顶电极、铁电层、绝缘层、半导体层和加热电极；当热信号驱动时，顶电极用于施加电压脉冲作为编程电信号，加热电极用于施加热信号；通过电压脉冲改变铁电层的铁电材料极化状态，与热信号共同作用使半导体产生积累和耗尽状态，顶电极与加热电极之间总电容对应高电容状态和低电容状态，即逻辑状态“1”和逻辑状态“0”，且根据编程电信号和热信号的不同，得到不同中间状态，即实现温度驱动的多值存储功能。本发明利用电容型非破坏性读取操作方式，集温度感知、数据存储、逻辑计算与一体，显著提升功能密度并降低额外功耗，为后摩尔时代集成电路对于信息与功能密度的升级需求提供一种解决方案。
主权项：1.一种热感知型铁电电容感存算器件，其特征在于，包括依次设置的顶电极1、铁电层2、绝缘层3、半导体层4和加热电极5；所述半导体层4的掺杂浓度满足：n0p0＝ni2，ni2＝Nc×Nv×e[－EgkT]；其中，ni为本征载流子浓度，Nc为导带有效状态密度，Nv为价带有效状态密度，Eg为半导体禁带宽度，k为玻尔兹曼常数，T为环境温度；若为p型掺杂，则p0为掺杂浓度，n0为少数载流子浓度；若为n型掺杂，则n0为掺杂浓度，p0为少数载流子浓度；当热信号驱动时，所述顶电极1用于施加电压脉冲作为编程电信号，所述加热电极5用于施加热信号；通过所述电压脉冲改变铁电层2的铁电材料极化状态，与所述热信号共同作用使半导体产生积累和耗尽状态，顶电极1与加热电极5之间总电容对应高电容状态和低电容状态，即逻辑状态“1”和逻辑状态“0”，且根据编程电信号和热信号的不同，得到不同中间状态，即实现温度驱动的多值存储功能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学杭州研究院 一种热感知型铁电电容感存算器件及其操作方法
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