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申请/专利权人：东莞市环亚商标织造有限公司
摘要：本发明涉及硅表面去酸化抗菌处理技术领域，具体涉及一种硅表面纳米抗菌结构、以及硅表面处理方法。该硅表面处理方法，硅胶原料和固化剂混合硫化成硅胶制品后，利用准分子灯照射方格处理的旋转隧道内并照射使硅胶制品表面主分子链裂解去酸化，经表面除静电和清除表面杂质处理后，硅胶制品的表面更平滑，再利用准分子灯照射方格处理的旋转隧道内并照射使硅胶制品表面产生纳米凹凸结构，这些纳米凹凸结构既有利于提高抗污性能，又能够使细菌不可逆变形，也能够破坏病毒包膜或使其困在纳米结构中失活，从而达到持久抗菌抑菌效果。
主权项：1.一种硅表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、按重量份取100份硅胶原料和1-3份固化剂，备用；S2、将硅胶原料和固化剂混合后在118-175℃温度下硫化处理，得到硅胶制品；S3、将所述硅胶制品置于准分子灯照射方格处理的旋转隧道内并照射2-15min以使硅胶制品表面主分子链裂解去酸化，得到去酸化的硅胶制品；S4、将所述去酸化的硅胶制品经表面除静电和清除表面杂质处理后，得到表面平滑的硅胶制品；S5、将表面平滑的硅胶制品置于准分子灯照射方格处理的旋转隧道内并照射8-50s，得到表面平滑且具有纳米凹凸结构的硅胶制品。
全文数据：
权利要求：
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