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申请/专利权人：威世硅尼克斯有限责任公司
摘要：提供了一种半导体装置，其包括两个或更多个终端单元。每个终端单元可以包括通孔通道、连接通孔、浮动场环、金属板和浮动场板。该浮动场环可以包括具有第一宽度的第一浮动场环和具有第二宽度的第二浮动场环。该第一宽度可以不同于该第二宽度。该金属板通过该通孔通道耦接到该第一浮动场环。该浮动场板通过该连接通孔耦接到该金属板。这些终端单元提供了自适应电场分布，该自适应电场分布被配置为耗散从该半导体装置的漏极传递到该半导体装置的源极的电压。
主权项：1.一种半导体装置，其包含：两个或更多个终端单元，其中，所述两个或更多个终端单元中的每一个包含：通孔通道；连接通孔；多个浮动场环，所述多个浮动场环包含具有第一宽度的第一浮动场环和具有第二宽度的第二浮动场环，所述第一宽度不同于所述第二宽度；金属板，其通过所述通孔通道耦接到所述第一浮动场环；以及浮动场板，其通过所述连接通孔耦接到所述金属板，其中，所述两个或更多个终端单元提供电场分布，所述电场分布被配置为耗散从所述半导体装置的漏极传递到所述半导体装置的源极的电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 威世硅尼克斯有限责任公司 设计用于高效且坚固的高压碳化硅功率装置的自适应边缘终端
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