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申请/专利权人：重庆烯宇新材料科技有限公司
摘要：本发明公开了一种银纳米线透明电磁屏蔽膜及制备工艺，涉及电磁屏蔽膜技术领域，具体为一种银纳米线透明电磁屏蔽膜，包括基底层，所述基底层的内外表面分别涂布有第一电池屏蔽层、第二电池屏蔽层，所述第一电池屏蔽层为AgNWs网格、第二电池屏蔽层为CuNWs网格，所述第一电池屏蔽层、第二电池屏蔽层的表面均涂布有降雾层，降雾层为TiO2涂层。该银纳米线透明电磁屏蔽膜及制备工艺，通过在基底层的内外表面设置由AgNWs网格、CuNWs网格组成的金属屏蔽层，可提高该电磁屏蔽膜的电磁屏蔽能力，同时通过在内外表面设置由UV胶制备的防护层，对两组金属屏蔽层进行防护，防止金属屏蔽层被氧化而导致电磁屏蔽膜的屏蔽性能衰减或丧失。
主权项：1.一种银纳米线透明电磁屏蔽膜，包括基底层1，其特征在于：所述基底层1的内外表面分别涂布有第一电池屏蔽层2、第二电池屏蔽层3，所述第一电池屏蔽层2为AgNWs网格、第二电池屏蔽层3为CuNWs网格，所述第一电池屏蔽层2、第二电池屏蔽层3的表面均涂布有降雾层4，降雾层4为TiO2涂层，且降雾层4的表面依次涂布有抗紫外线层5、防护层6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆烯宇新材料科技有限公司 一种银纳米线透明电磁屏蔽膜及制备工艺
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