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一种氧化镓单晶衬底抛光片的划片保护层结构及其划片方法 

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申请/专利权人:杭州镓仁半导体有限公司

摘要:本发明提供了一种氧化镓单晶衬底抛光片的划片保护层结构及其划片方法,属于氧化镓单晶衬底抛光片加工技术领域。本发明的划片保护层结构由下到上依次包括层叠设置的斜坡夹具、载台、第二软质保护层、氧化镓晶片、第一软质保护层和硬质保护层,所述斜坡夹具保证沿氧化镓晶片010晶面方向的切割道呈斜坡角度切割。本发明中,第一软质保护层和第二软质保护层的作用是避免抛光晶片的表面免受硬物划伤和冷却介质污染,硬质保护层的作用是抵消一部分划片过程中砂轮对100易解理晶面的法向作用力;斜坡夹具会进一步分解砂轮施加给100晶面的法向作用力,从而减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生。本发明的划片方法切割速度快,可以实现抛光晶片直接进行划片,且不产生晶片表面的划伤和污染等缺陷。

主权项:1.一种氧化镓单晶衬底抛光片的划片保护层结构,其特征在于,由下到上依次包括层叠设置的斜坡夹具、载台、第二软质保护层、氧化镓晶片、第一软质保护层和硬质保护层,所述斜坡夹具保证沿氧化镓晶片010晶面方向的切割道呈斜坡角度切割,所述载台、第二软质保护层、氧化镓晶片、第一软质保护层和硬质保护层与所述斜坡夹具的上表面平行。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 杭州镓仁半导体有限公司 一种氧化镓单晶衬底抛光片的划片保护层结构及其划片方法

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