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申请/专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南东昌金属加工有限公司
摘要：本发明公开了一种用四氟化锗低温雾化水解制备高纯二氧化锗的方法，包括以下步骤：第一步，四氟化锗一次低温精馏提纯；第二步，四氟化锗二次低温精馏提纯；第三步，四氟化锗生成二氧化锗反应；第四步，真空过滤、洗涤；第五步，烘干。本发明的一种用四氟化锗制备高纯二氧化锗的方法，是针对四氟化锗生产过程和使用过程中产生的粗四氟化锗来制备高纯二氧化锗而研究开发的，方法科学合理，流程简短，操作简便，沉淀剂氯化钡和氟化钡能循环使用，能有效的对粗四氟化锗进行处理及回收得到高纯二氧化锗，通过雾化法防止生成较大的二氧化锗颗粒而影响反应速率，提高了反应效率，对复杂难处理的氟化物中锗资源的循环利用具有重要意义。
主权项：1.一种用四氟化锗低温雾化水解制备高纯二氧化锗的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，四氟化锗一次低温精馏提纯，所述低温为零下40℃至零下43℃；第二步，四氟化锗二次低温精馏提纯，所述低温为零下40℃至零下43℃；第三步，四氟化锗生成二氧化锗反应；第四步，真空过滤、洗涤；第五步，烘干。
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