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申请/专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
摘要：本发明提供一种集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件及制备方法，本发明屏蔽栅MOSFET器件包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延漂移区、漏极、源极金属电极、栅极、及屏蔽栅极，所述屏蔽栅MOSFET器件在第二导电类型体区外围设有由所述源极金属电极延伸至所述第一导电类型外延漂移区内部的接触孔，所述第二导电类型体区与接触孔侧壁之间设有第二导电类型重掺杂体区，所述接触孔内设有肖特基势垒金属，所述肖特基势垒金属与所述接触孔底部的第一导电类型外延漂移区能够构建源极的肖特基二极管，所述接触孔下方的第一导电类型外延漂移区内设有第二导电类型重掺杂屏蔽结构。本发明不会增大有源区面积，降低了器件生产成本。
主权项：1.一种集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底、设置在第一导电类型衬底上表面的第一导电类型外延漂移区及设置在第一导电类型衬底下表面的漏极，还包括源极金属电极、栅极、及设置在第一导电类型外延漂移区中部的屏蔽栅极，所述栅极通过绝缘介质隔离层与所述屏蔽栅极上表面隔离设置，所述第一导电类型外延漂移区上表面在所述栅极的外围设有第二导电类型体区，所述第二导电类型体区上表面设有第一导电类型重掺杂区，所述第一导电类型重掺杂区与栅极上表面均通过层间介质与源极金属电极隔离设置，所述屏蔽栅MOSFET器件在所述第二导电类型体区外围设有由所述源极金属电极延伸至所述第一导电类型外延漂移区内部的接触孔，所述第二导电类型体区与接触孔侧壁之间设有第二导电类型重掺杂体区，所述接触孔内设有肖特基势垒金属，所述肖特基势垒金属与所述接触孔底部的第一导电类型外延漂移区能够构建源极的肖特基二极管，所述接触孔下方的第一导电类型外延漂移区内设有第二导电类型重掺杂屏蔽结构。
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