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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明提供一种芯片粘接层金属单晶微柱压缩试验弹性常数反演方法，其利用微柱压缩试验，结合n组不同晶向微柱压缩数据，通过建立精确的有限元模型和设定合理的边界条件，为弹性常数反演计算提供模型依据与仿真支撑；通过使用多目标优化算法，提高了反演结果的全面性和准确性；结合有限元模型的力‑位移曲线仿真结果，反演获取与实际微柱压缩试验结果一致的金属单晶材料弹性常数，为芯片粘接材料金属单晶的弹性常数确定提供最优方法。本方法能够有效获取金属单晶微柱在压缩过程中的力‑位移曲线，并结合有限元模型和多目标优化算法，准确反演出材料的弹性常数，为电子封装领域的材料力学性能测试提供了新的技术手段。
主权项：1.一种芯片粘接层金属单晶微柱压缩试验弹性常数反演方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：开展芯片粘接层中不同晶向的金属单晶微柱压缩试验，获取对应金属单晶微柱压缩试验力-位移曲线数据；步骤二：建立金属单晶微柱压缩有限元模型，包括几何模型建立、晶体取向、边界设定、网格划分，并通过设定不同的弹性常数，得到微柱压缩力-位移曲线有限元仿真结果；步骤三：设定金属单晶弹性常数多目标优化问题，包括目标函数、弹性常数参数范围的确定；步骤四：利用多目标优化算法，求解最优金属单晶弹性常数，以此，得到微柱压缩试验数据反演的金属单晶材料弹性常数。
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权利要求：
百度查询： 西北工业大学 芯片粘接层金属单晶微柱压缩试验弹性常数反演方法
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