龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开实施例关于制作半导体结构的方法。方法包括提供具有栅极结构、栅极结构上的绝缘结构、以及源极漏极区的基板。以第一化学气相沉积制程沉积钛硅化物层于源极漏极区上。第一化学气相沉积制程包括第一氢气流。方法亦包括以第二化学气相沉积制程沉积氮化钛层于绝缘结构上。第二化学气相沉积制程包括第二氢气流。第一化学气相沉积制程与第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且第一氢气流的流速大于第二氢气流的流速。
主权项：1.一种制作半导体结构的方法，包括：形成具有一源极漏极区的一鳍状物于一基板上；形成一栅极结构于该鳍状物上；形成一绝缘结构于该栅极结构上；形成一间隔物于该栅极结构的侧壁与该鳍状物的上表面上；其中该源极漏极区的上表面垂直地高于该鳍状物的上表面；以一第一化学气相沉积制程沉积一钛硅化物层于该源极漏极区上，且该第一化学气相沉积制程包括一第一氢气流，其中该钛硅化物层的上表面形成于垂直地高于该鳍状物的上表面的一第一表面平面上，而该钛硅化物层的下表面形成于垂直地低于该鳍状物的上表面的一第二表面平面上；以及以一第二化学气相沉积制程沉积一氮化钛层于该绝缘结构上，且该第二化学气相沉积制程包括一第二氢气流，其中该第一化学气相沉积制程与该第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且该第一氢气流的流速大于该第二氢气流的流速。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制作半导体结构的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号