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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种方法，其能够不封闭膜的开口，而面内均匀地形成保护侧壁面不受对膜进行蚀刻的化学种的影响的保护区域。在例示的实施方式的对膜进行蚀刻的方法中，在膜上形成前体的单分子层。膜具有用于形成开口的侧壁面和底面。利用化学种对膜进行蚀刻，该化学种来自从处理气体形成的等离子体。在对膜进行蚀刻期间，利用来自等离子体的化学种或来自等离子体的其他化学种，从单分子层形成保护区域。
主权项：1.一种在腔室内对膜进行蚀刻的方法，其特征在于：所述膜为具有用于形成开口的侧壁面和底面的有机膜，该方法包括：在所述腔室内没有生成等离子体的状况下，供给包含前体的前体气体，由此在所述有机膜上形成前体的单分子层的工序；和利用氧化学种对所述有机膜进行蚀刻的工序，其中所述氧化学种来自从含氧气体形成的等离子体，在对所述有机膜进行蚀刻的所述工序中，利用来自所述等离子体的所述氧化学种氧化所述单分子层来形成保护区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置
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