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确定晶圆检查参数方法 

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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

摘要:一种确定晶圆检查参数方法,包括识别在集成电路设计布局中的兴趣区、通过使用多个光学模式从兴趣区产生多个模拟光学影像,来对兴趣区执行检查模拟、以及基于模拟光学影像,选择光学模式中的至少一者,以用于检查晶圆区,晶圆区基于在上述集成电路设计布局中的上述兴趣区制造。

主权项:1.一种确定晶圆检查参数方法,包括:识别在一集成电路设计布局中的一兴趣区,其中一特定兴趣缺陷DOI在上述兴趣区中;使用多个光学模式来对上述兴趣区执行多个检查模拟,从而产生多个模拟光学影像,其中上述光学模式的每一者具有与上述光学模式内的多个其他光学模式不同的至少一光学参数值;从上述模拟光学影像中的每一者产生多个影像特性;基于上述模拟光学影像中的每一者的上述影像特性的比较,从上述光学模式选择用于上述特定兴趣缺陷的一优选光学模式,其中上述优选光学模式的上述影像特性比与任何其他光学模式相关的上述影像特性更好地识别上述特定兴趣缺陷;以及在执行上述检查模拟之后,使用所选择的上述优选光学模式检查在一晶圆上的上述兴趣区。

全文数据:

权利要求:

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