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申请/专利权人：同辉电子科技股份有限公司

摘要：本发明涉及一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块和焊接方法，属于半导体功率设备技术领域，包括DBC板、碳化硅器件及套壳，DBC板作为该SiC模块的底板，碳化硅器件固定贴合在DBC板的导电层上，套壳扣于DBC板，DBC板上的导电层分为功率电极区和信号电极区，功率电极区包括第一漏极区块、第二漏极区块、第三漏极区块和负极输入区块，信号电极区包括第一栅极区块、第二栅极区块、第三栅极区块和第四栅极区块，本方案可以通过单个模块实现全桥开关功能，使应用更加便捷，且可靠性高，对寄生电感效应进行了最大限度的优化。

主权项：1.一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块，包括DBC板（1）、碳化硅器件及套壳，所述DBC板（1）作为该SiC模块的底板用于承载碳化硅器件；所述碳化硅器件固定贴合在DBC板（1）的导电层上；所述套壳扣于DBC板（1），用于器件的封装；其特征在于：所述DBC板（1）上的导电层分为功率电极区和信号电极区，所述功率电极区包括第一漏极区块（2）、第二漏极区块（3）、第三漏极区块（4）和负极输入区块（5），所述第一漏极区块（2）、第二漏极区块（3）、第三漏极区块（4）和负极输入区块（5）上分别连接有各自区块的功率接线端子d00、d10、d01和d11；所述信号电极区包括第一栅极区块（6）、第二栅极区块（7）、第三栅极区块（8）和第四栅极区块（9），所述第一栅极区块（6）、第二栅极区块（7）、第三栅极区块（8）和第四栅极区块（9）上分别连接有各自区块的信号接线端子g01、g02、g03和g04；所述碳化硅器件包括MOS管U1、U2、U3和U4，所述MOS管U1设置在第一漏极区块（2）；所述MOS管U2和Q3设置在第二漏极区块（3），所述MOS管U2较MOS管U3靠近第一漏极区块（2），所述MOS管U3较MOS管U2靠近第二漏极区块（3），所述MOS管U4设置在第三漏极区块（4）；第一栅极区块（6）与MOS管U1的栅极通过键合线j00相连，第二栅极区块（7）与MOS管U2的栅极通过键合线j01相连，第三栅极区块（8）与MOS管U3的栅极通过键合线j02相连，第四栅极区块（9）与MOS管U4的栅极通过键合线j03相连，所述MOS管U1的源极通过键合线j05与负极输入区块（5）相连，所述MOS管U2的源极通过键合线j04与第一漏极区块（2）连接，所述MOS管U3的源极通过键合线j02与第三漏极区块（4）连接，所述MOS管U4的源极通过键合线j07连接负极输入区块（5），所述MOS管U1、U2、U3和U4的漏极位于MOS管的器件底面并与DBC板（1）的导电层贴合；所述碳化硅器件还包括二极管D1、D2、D3和D4，所述三极管D1设置在第一漏极区块（2）；所述三极管D2和D3设置在第二漏极区块（3），所述三极管D2较三极管D3靠近第一漏极区块（2），所述三极管D3较三极管D2靠近第二漏极区块（3），所述三极管D4设置在第三漏极区块（4）；所述二极管D1、D2、D3和D4的阴极位于二极管的器件底部与DBC板（1）的导电层贴合，所述二极管D1、D2、D3和D4的阳极位于二极管的器件顶部，所述键合线j05还连接二极管D1的阳极，所述键合线j07还连接二极管D4的阳极，所述二极管D2的阳极通过键合线j08与第一漏极区块（2）相连，所述二极管D3的阳极通过键合线j09与第三漏极区块（4）相连；所述碳化硅器件承载于DBC板（1）上表面的导电层，所述DBC板（1）下表面覆盖有与上表面对称的导电层。

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