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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法。所述半导体器件的制作方法包括：在第一晶圆的背面形成第一键合结构；在所述第一键合结构上形成保护层；对所述第一晶圆进行芯片切分；去除所述保护层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的正面形成有第二键合结构；分离所述第一晶圆中的各芯片，并通过所述第一键合结构和所述第二键合结构，将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行键合。本发明能够保证键合表面不被工艺污染的同时，避免键合表面氧化，有效提高键合效果。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：将第一晶圆的正面与承载晶圆通过键合胶进行临时键合，所述第一晶圆的正面是所述第一晶圆的第一介质层背离第一衬底的一侧；在所述第一晶圆的背面形成第一键合结构；在所述第一键合结构上形成保护层；对所述第一晶圆进行芯片切分；去除所述保护层；将所述第一晶圆与所述承载晶圆进行解键合，并将所述键合胶保留在所述第一晶圆中各芯片的正面；提供第二晶圆，所述第二晶圆的正面形成有第二键合结构，所述第二晶圆的正面是所述第二晶圆的第二介质层背离第二衬底的一侧；分离所述第一晶圆中的各芯片，并通过所述第一键合结构和所述第二键合结构，将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行预键合，去除各所述芯片正面的所述键合胶，将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行永久键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件的制作方法
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