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申请/专利权人：深圳市顾邦半导体科技有限公司
摘要：本发明提出了一种仅需要4层光掩模的超结平面栅极功率MOSFET的制造方法。该制造方法可以获得低导通电阻以及更低的栅极电荷。因此可以得到更优的品质因数FOM。与传统垂直型的VDMOS制造方法的主要区别是超结的p柱是在n‑外延层中通过原位选择外延生长insitu‑SEG而形成，p柱与n型外延的掺杂浓度因此而达到电荷平衡，平面栅极长度也能够做到最小化以减少沟道电阻和栅极电荷。此外，与现有的制造方法普遍需要6层光掩模的方案相比，本发明还能提高制造效率，降低制造成本。
主权项：1.一种超结平面栅极功率MOSFET的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：在衬底上生长外延层；在外延层上生长第一氧化层后形成第一掩模；在外延层中蚀刻形成多个深沟槽；去除第一掩模和第一氧化层，在深沟槽中原位选择性外延生长外延层以形成p柱；在外延层及P柱的表面上形成依次包括栅极氧化层、多晶硅栅极层以及第二氧化层的堆叠结构；在第二氧化层的表面形成第二掩模，其中所述外延层划分为第一区和第二区；在所述第一区上的第二掩模具有第一沟槽和第二沟槽；采用蚀刻工艺对所述第一区的所述堆叠结构进行蚀刻以露出p柱的上表面和外延层的上表面；去除第二掩模，利用沉积工艺形成第三氧化层；对所述第一区上的第三氧化层进行蚀刻以便形成第三沟槽；进行离子注入工艺，从而在p柱和外延层中形成p+离子注入区和n+离子注入区；执行离子扩散工艺以形成p+离子扩散区和n+离子扩散区；对p+离子扩散区和n+离子扩散区进行蚀刻，以形成第四沟槽；在所述第三氧化层的整个表面旋涂光刻胶并在所述第二区的光刻胶中图形化以形成开口，形成所述开口后的光刻胶作为第三掩模；以所述第三掩模为保护，蚀刻第三氧化层以露出多晶硅栅极层的上表面；溅射形成金属层；在金属层上图形化形成第四掩模；蚀刻所述金属层，以形成源电极和栅电极；在n+衬底的背面形成金属层作为漏电极。
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