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申请/专利权人：中国科学技术大学
摘要：本发明提供了一种曳尾式微悬臂梁原子力扫描探针的制备方法，探针制备的主体为SOI片，正面先通过光刻和干法刻蚀先得到探针针尖结构，再通过光刻套刻和干法刻蚀得到复合梁的结构，最后通过干法刻蚀从背面将有效区域的微悬臂梁悬空释放；实验结果表明，该制备方法制备得到的探针其悬臂梁是包含主梁和内梁的复合梁，复合梁的尺寸、厚度、图形可定制，主梁和内梁之间的最小间距可实现1μm，最小厚度可实现1μm。
主权项：1.一种曳尾式微悬臂梁原子力扫描探针的制备方法，包括以下步骤：a选用SOI晶圆片作为起始样品，所述SOI晶圆片包括顶层器件硅层、中间氧化层和衬底硅层；b在顶层器件硅层上生长氧化硅层；c采用光刻胶在氧化硅层上形成直径为0.5μm～1μm的圆形光刻胶掩膜；d去除顶层器件硅层上未被圆形光刻胶掩膜覆盖的氧化硅层，并去除光刻胶；e对样品进行漂洗处理后，刻蚀顶层器件硅层形成高度为11.5μm～13μm的锥形针尖结构；f采用光刻胶在顶层器件硅层表面形成镂空出复合梁结构的光刻胶掩膜；g刻蚀顶层器件硅层至中间氧化层露出，得到复合梁结构，并去除光刻胶；h分别在顶层器件硅层表面和衬底硅层表面沉积氧化硅层；i采用光刻胶对顶层器件硅层表面的复合梁结构和锥形针尖结构进行保护，并采用光刻胶对衬底硅层表面待保留结构进行覆盖；j去除衬底表面未被光刻胶覆盖的氧化硅层；k刻蚀衬底硅层至剩余20μm～40μm，并去除光刻胶；l利用衬底硅层的氧化硅层做掩膜，将剩余的衬底硅层刻蚀至中间氧化层露出；m利用气态HF释放顶层器件硅层表面的氧化硅层、衬底硅层表面的剩余氧化硅层和中间氧化层，得到曳尾式微悬臂梁原子力扫描探针。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 一种曳尾式微悬臂梁原子力扫描探针的制备方法
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