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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种半导体材料技术领域的研究α‑Ga2O3生长的雾化学沉积系统及其构建方法，旨在解决现有技术中所使用的Mist‑CVD系统以水平式系统为主，存在大尺寸生长时均匀性较差的问题，其构建方法包括以下步骤：建立二维腔体模型，设定其边界类型，并进行网格划分，生成网格文件；用计算流体力学仿真软件读取网格文件，设置相应条件及参数，并选定计算模型和求解器；利用求解器进行迭代求解；查看求解得到的各项计算结果。本发明通过Mist‑CVD反应腔进行二维网格建模，分析其流场和反应物分布，并深入研究壁面温度等生长参数对生成物质量及均匀性的影响，进而对实现大面积均匀外延提供优化参数。
主权项：1.一种研究α-Ga2O3生长的雾化学沉积系统的构建方法，其特征在于：包括以下步骤，用网格划分软件建立雾化学沉积系统的二维腔体模型，设定二维腔体模型的边界类型，并对二维腔体模型进行网格划分，生成网格文件，所述二维腔体模型为卧式反应腔，所述卧式反应腔一端设有N2进气口和O2进气口，另一端为生成物出气口，位于所述卧式反应腔内部中央设有衬底材料，所述卧式反应腔外部围设有加热器，所述加热器用于对卧式反应腔的壁面进行加热；用计算流体力学仿真软件读取网格文件，设置二维腔体模型的边界条件和材料参数，并选定计算模型和求解器，所述计算模型采用结合化学反应的组分输运计算模型，所述求解器为基于压力的非耦合式求解器；在求解器中设置控制参数后，利用求解器进行迭代求解，所述控制参数包括采用湍流模型，并加入离散相模型，在所述离散相模型中创建雾化射流入口，并将进行雾化射流的反应物设为乙酰丙酮镓溶液；通过后处理窗口查看求解得到的各项计算结果，对计算结果进行数学计算得出α-Ga2O3生长薄膜的均匀性的值，从而对α-Ga2O3生长质量作出判断。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种研究α-Ga2O3生长的雾化学沉积系统及其构建方法
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