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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种倒装Ag镜发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括；衬底；依次层叠在衬底上的外延层、电流传输层、布拉格反射层、Ag反射层、绝缘层以及焊盘层；其中，布拉格反射层、绝缘层以及Ag反射层上均设有导电通孔、绝缘层上的导电通孔与布拉格反射层上的导电通孔正向投影完全重合，Ag反射层上的导电通孔与绝缘层上的导电通孔为同心设置，且Ag反射层上的导电通孔的面积大于绝缘层上的导电通孔的面积，以使焊盘层通过布拉格反射层以及绝缘层的导电通孔与电流传输层电性连接。本发明解决了现有技术中为了防止Ag反射层中的Ag发生电迁移铺设惰性金属层导致Ag反射层面积小影响二极管亮度的问题。
主权项：1.一种倒装Ag镜发光二极管芯片，其特征在于，包括；衬底；依次层叠在所述衬底上的外延层、电流传输层、布拉格反射层、Ag反射层、绝缘层以及焊盘层；其中，所述布拉格反射层、绝缘层以及Ag反射层上均设有导电通孔，所述绝缘层上的导电通孔与所述布拉格反射层上的导电通孔的正向投影完全重合，所述Ag反射层上的导电通孔与所述绝缘层上的导电通孔为同心设置，且所述Ag反射层上的导电通孔的面积大于所述绝缘层上的导电通孔的面积，以使所述焊盘层通过所述布拉格反射层以及绝缘层的导电通孔与所述电流传输层电性连接；所述电流传输层包括P型电流传输层和N型电流传输层，所述焊盘层包括P型焊盘层和N型焊盘层，所述绝缘层上的导电通孔包括P型绝缘层导电通孔和N型绝缘层导电通孔，所述布拉格反射层上的导电通孔包括P型布拉格反射层导电通孔和N型布拉格反射层导电通孔，所述P型焊盘层通过所述P型布拉格反射层导电通孔和P型绝缘层导电通孔与所述P型电流传输层电性连接，所述N型焊盘层通过所述N型布拉格反射层导电通孔和N型绝缘层导电通孔与所述N型电流传输层电性连接；所述布拉格反射层由预设对数的SiO2和Ti3O5层堆叠形成，所述Ag反射层包括与所述布拉格反射层接触的底层、以及设于所述底层远离所述布拉格反射层一侧的上层；所述底层由Ag材质制成，所述上层由Ni、Pt、TiW、Ti材质中的一种制成。
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