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申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院

摘要：本发明涉及聚变装置绝缘处理技术领域，公开了一种电流引线的绝缘处理方法，该方法首先将电流引线分成两部分，一部分是主体段和嵌入环的绝缘处理，另一部分是过渡段、氦管和绝缘子的绝缘处理，再分别对两部分进行绝缘处理，以形成一个均匀且外表面平滑完整的绝缘结构，进而保证电流引线整体的绝缘性，并且在进行包绕时，由于分成两部分包绕，针对不同的连接结构进行单独包绕，在不影响整体的绝缘性前提下，能够简化包绕的步骤，节省时间。

主权项：1.一种电流引线的绝缘处理方法，所述电流引线包括室温铜头、主体段、过渡段、嵌入环、氦管、绝缘子和接头盒，所述室温铜头、所述主体段、所述过渡段和所述接头盒依次连接，所述室温铜头和所述主体段的连接处为第一连接处，所述过渡段和所述接头盒的连接处为第二连接处，所述嵌入环套设于所述主体段，所述氦管的一端连接于所述过渡段，另一端连接于所述绝缘子，其特征在于，包括以下步骤：S1、对所述主体段包绕第一层预浸渍带，且从所述第一连接处包绕至第一预设位置，所述第一预设位置到所述第一连接处在第一方向的距离为L1；S2、在所述第一层预浸渍带上依次包绕m层第一复合带，m≥2，所述第一复合带包括预浸渍带和Kapton薄膜，其中邻近所述第一层预浸渍带的所述第一复合带背离所述室温铜头的一端在所述第一方向上到所述第一连接处的距离为L2,L1-L2＝ΔL，ΔL＞0mm；在任意相邻的两层所述第一复合带中，位于外侧的所述第一复合带背离所述室温铜头的一端相比于位于内侧的所述第一复合带背离所述室温铜头的一端在所述第一方向上向所述室温铜头偏移的距离均为ΔL；S3、在最外层的所述第一复合带上包绕第二层预浸渍带，所述第二层预浸渍带背离所述室温铜头的一端与最外层的所述第一复合带背离所述室温铜头的一端平齐，并在所述第二层预浸渍带上包绕第一对地屏蔽层，以设置第一电极线；S4、在所述第一对地屏蔽层上依次包绕第三层预浸渍带和第四层预浸渍带，对所述电流引线进行第一次固化，并对所述第四层预浸渍带加工，将嵌入环套设于所述第四层预浸渍带；S5、对所述过渡段、所述氦管和所述绝缘子包绕第五层预浸渍带，且所述第五层预浸渍带从所述第一预设位置包绕至所述第二连接处；S6、在所述第五层预浸渍带上依次包绕m层第二复合带，所述第二复合带包括所述预浸渍带和所述Kapton薄膜，其中邻近所述第五层预浸渍带的所述第二复合带背离所述接头盒的一端相比于所述第五层预浸渍带背离所述接头盒的一端在所述第一方向上向所述室温铜头偏移的距离为ΔL，在任意相邻的两层所述复合带中，位于外侧的所述第二复合带背离所述接头盒的一端相比于位于内侧的所述第二复合带背离所述接头盒的一端在所述第一方向上向所述室温铜头偏移的距离均为ΔL；S7、在最外层的所述第二复合带上包绕第六层预浸渍带，所述第六层预浸渍带背离所述接头盒的一端与最外层的所述第二复合带背离所述接头盒的一端平齐，且所述第六层预浸渍带的外表面与所述第二层预浸渍带的外表面平齐；S8、在所述第六层预浸渍带上包绕第二对地屏蔽层，且所述第二对地屏蔽层与所述第一对地屏蔽层搭接，并在所述第二对地屏蔽层上设置第二电极线；S9、在所述第二对地屏蔽层上包绕第七层预浸渍带，并对所述电流引线进行第二次固化。

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