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申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照1.1～2.9：0.1～1.9：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
主权项：1.一种氮化镓晶体的位错情况的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：按照1.1～2.9：0.1～1.9：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液，所述硫酸溶液为质量分数为95％-98％的硫酸水溶液，所述盐酸溶液为质量分数为36％-38％的盐酸水溶液，所述磷酸溶液为质量分数不低于85％的磷酸水溶液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 氮化镓晶体的位错情况的检测方法
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