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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本公开提供了一种籽晶托及其制备方法、晶体生长装置、晶体生长方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低碳化硅单晶材料中的位错密度。所述籽晶托包括籽晶托主体和多个填充部。籽晶托主体的第一表面开设有多个凹槽，多个凹槽间隔设置，第一表面用于设置籽晶。多个填充部对应设置于多个凹槽内。其中，填充部的材料包括第一材料，籽晶托主体的材料包括第二材料，第一材料的导热系数与第二材料的导热系数不相同。上述籽晶托应用于晶体生长装置中，以实现晶体的生长。
主权项：1.一种籽晶托，其特征在于，包括：籽晶托主体，所述籽晶托主体的第一表面开设有多个凹槽，所述多个凹槽间隔设置，所述第一表面用于设置籽晶；所述多个凹槽在所述籽晶托主体上按照预定规律分布，所述预定规律包括：沿第三方向，所述多个凹槽在所述籽晶托主体上的分布密度逐步减小；所述第三方向为所述籽晶托主体的几何中心指向所述籽晶托主体的边界的方向；多个填充部，对应设置于所述多个凹槽内；其中，所述填充部的材料包括第一材料，所述籽晶托主体的材料包括第二材料，所述第一材料的导热系数与所述第二材料的导热系数不相同。
全文数据：
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