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申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，用于增大背接触电池中背光面一侧的光线利用率，利于提升背接触电池的光电转换效率。所述背接触电池包括：硅基底、以及形成在硅基底背光面一侧的部分区域上的第一掺杂半导体层。其中，硅基底的背光面中与第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域，其余区域为第二区域。第一区域和第二区域交替分布。第二区域上形成有相对于第一区域的表面向硅基底内凹入的凹槽结构。第一掺杂半导体层与第二区域相邻的端部悬空设置。所述背接触电池的制造方法用于制造上述背接触电池。
主权项：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：硅基底、以及形成在硅基底背光面一侧的部分区域上的第一掺杂半导体层；其中，所述硅基底的背光面中与所述第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域，其余区域为第二区域；所述第一区域和所述第二区域交替分布；所述第二区域上形成有相对于所述第一区域的表面向所述硅基底内凹入的凹槽结构；所述第一掺杂半导体层与所述第二区域相邻的端部悬空设置；所述第一掺杂半导体层中悬空设置的端部沿所述凹槽结构的槽口边缘至槽口中部的方向延伸；所述凹槽结构的侧壁中至少部分表面相对于水平面倾斜设置，以使凹槽结构的至少部分区域的横截面积沿向光面至背光面的方向逐渐增大，所述凹槽结构的槽底面积小于槽口面积；所述凹槽结构的侧壁中，靠近槽口的部分表面与水平面垂直设置；所述凹槽结构的侧壁中，靠近槽口的部分表面与靠近槽底的部分表面之间具有与水平面平行设置的平面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 隆基绿能科技股份有限公司 一种背接触电池及其制造方法
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